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Samsung anuncia la memoria interna de teléfonos más grande de la historia

06 Diciembre 2017

Algunos terminales tienen la posibilidad de usar una tarjeta microSD, pero hay un inconveniente, no es tan rápida como la memoria interna.

El titán surcoreano ha anunciado la producción en masa de su nuevo chip de memoria flash (eUFS) que trae consigo 512 GB de almacenamiento. Lo que ha cambiado es que esta memoria requiere de 64 capas mientras que la de 256 lleva 48 capas. Cabe destacar que es más eficiente en términos de energía.

De bajo consumo, este módulo de 512GB es capaz de alcanzar velocidades de 860Mbps y 42.000 operaciones por segundo en lectura aleatoria, con 40.000 en escritura. Desde Samsung, aseguran que el nuevo eUFS de alta capacidad permite que los terminales almacenen aproximadamente 130 videoclips 4K de 10 minutos de duración.

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